功率半导体迎来周期性复苏，中国以碳化硅为代表的第三代半导体通过持续升级，在衬底及外延片环节规划产能较大，竞争格局较为集中，有望提高在国际市场上的话语权。
吴新竹/文
经历了近两年的下行周期，功率半导体细分领域呈现复苏趋势，多家上市公司称2024年四季度和2025年一季度下游景气度和需求有所回暖，部分功率半导体价格得以修复，库存去化，产品结构优化，业绩得以不同程度改善。
近期，同属第三代半导体的两家美股公司迎来了不同的转折点。5月21日，Wolfspeed报告称准备提交破产申请，该公司盘后股价下跌50%，同日，纳微半导体公司宣布与英伟达合作开发下一代800伏高压直流架构，受此消息影响，该公司盘后涨超180%。
这两家细分领域头部公司的变化反映出行业竞争加剧，而新兴应用领域崛起，产业格局正在重塑。自2024年下半年起，国产功率半导体中低压产品价格修复，随着产线稼动率的改善，设计公司代工成本逐步优化，毛利率进入改善区间。
与此同时，汽车智能化、国产化以及海外厂商的退出带来细分品类的增量机遇，虽然中国企业与海外头部厂商仍存在差距，但随着技术突破和产能释放，中国厂商有望在国际市场中占据更高的市场份额。
增长的一季报
半导体功率器件应用于电子制造业的各个方面，包括计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业控制等，新兴应用领域如新能源汽车及充电桩、数据中心、风光发电、储能的快速发展也拉动了功率器件的增长。
功率半导体商业模式分为垂直整合制造模式（简称“IDM”）和无晶圆厂模式（简称“Fabless”），国内IDM厂商以士兰微（600460.SH）、华润微(688396.SH)、捷捷微电(300623.SZ)为代表，扬杰科技(300373.SZ)采用IDM与Fabless并行的模式，新洁能(605111.SH)绑定上游代工厂，自建部分封装产线，模式接近IDM，其他公司大多采用Fabless模式。
A股功率半导体厂商自2024年下半年起业绩相继复苏，据统计2025年一季度，行业营收增速平均同比增长20.71%，平均库存周转天数从上年同期的154天下降至128天。
2025年一季度，士兰微实现营业收入30.00亿元，同比增长21.70%，扣非归母净利润为1.45亿元，同比增长8.96%。2024年下半年起，士兰微安排12英寸模拟、IPM模块封测产线扩充，提高IGBT芯片产能。
新洁能一季度实现营业收入4.49亿元，同比增长20.81%，扣非归母净利润为1.04亿元，同比增长24.61%。
捷捷微电一季度实现营业收入7亿元，同比增长34.72%，扣非归母净利润为1.10亿元，同比增长121.17%，综合毛利率为39.93%，达到近三年同期高位。
捷捷微电已量产百余款车规级MOSFET，已广泛应用于国内第一梯队汽车零部件供应商的转向、燃油、润滑、冷却等系统。
华润微一季度实现营业收入23.55亿元，同比增长11.29%，扣非归母净利润为6494万元，同比增长12.50%，一季度功率器件及封装测试业务毛利率均好于上年同期。
近年来中国MOSFET厂商不断加速相关产品的国产替代，2024年沟槽型和超结型的国产化率分别达到49%和34%，高压MOSFET国产替代程度有待继续提升。
国产硅片同步发力，立昂微（605358.SH）2024年12英寸硅片销售110.30万片，较上年同期增长121.23%，2025年有望继续快速爬坡，已覆盖图像传感器件和功率器件所需硅片。
IGBT出货量自2024年下半年进入底部，尽管国内IGBT产量保持较高增长态势，但整体自给率水平相对较低，未来中国厂商持续扩产，技术持续突破，凭借较高的性价比，自给率将逐步提高。
国泰海通证券认为，2025年一季度的复苏由三个方面的原因推动，一是受益于国家补贴政策提振和消费复苏推动，消费电子等多个下游有所回暖；二是去库存周期已看到底部或者接近底部；三是新产品的推动。预计二季度功率半导体仍将处于复苏阶段。
把握新兴应用领域
智能驾驶下沉中低端车型市场，中低端车型销量提升将提振IGBT的需求。中低端车型竞争激烈，车厂更加注重成本管控，使用碳化硅的可能性较低，业内预计短期内仍将使用成本较低的IGBT。
据统计，截至2024年6月底，中国新能源上险乘用车IGBT模块的国产供应累计占比约79.9%。2024年1-6月，比亚迪半导体累计搭载功率模块约占23.8%，时代电气占9.4%，芯联集成约占24.9%，斯达半导占7.0%，士兰微约占5.0%，宏微约占1.4%。
国元证券指出，各大车厂将持续抢占中低端车型市场份额，带动新能源汽车价格持续下滑，中低端车型仍是主流车型价格区间，预计2025年IGBT仍有较大的增长空间。
除新能源汽车外，国内外人工智能厂商加速布局千亿参数大模型，训练需求及推理需求高速增长，共同驱动算力革命，助推以数据中心为代表的AI服务器市场出货量增长。
纳微半导体的主业包含AI数据中心供电解决方案，在第三代半导体相关技术领域具备优势，该公司于5月21日宣布参与英伟达下一代800V HVDC电源架构开发，纳微半导体旗下的氮化镓和碳化硅技术将为数据中心机架级系统内的GPU提供电力支持。
国产功率半导体厂商围绕AI算力服务器的相关需求研发产品，积极开发下游客户，目前新洁能的相关产品已应用于海内外头部客户的服务器电源领域，并实现稳定批量销售。
国产化进程迅速
2024年，碳化硅晶圆需求并未出现较大提升，但全球碳化硅产能较2023年提升50%以上，行业进入供过于求阶段。碳化硅衬底制造工艺难度较大，存在较高的技术门槛，据测算，6英寸升级至8英寸，成本预计将下降35%。
海外大厂Wolfspeed、Rohm、Onsemi均计划在2025年前后实现8英寸碳化硅衬底的量产。Wolfspeed预计将产能扩大10倍，Onsemi计划将年产能从28.8万片提升至117.6万片。Wolfspeed量产的8英寸碳化硅衬底理论上可降低单位成本30%，但实际良率不足40%的问题长期未能解决。
中国厂商通过工艺创新，将6英寸衬底价格压至国际水平的30%。据统计，2024年上半年产能已较2022年提升3倍，达到348万片，虽目前主要产能仍以6英寸为主，但头部企业已开始进军8英寸。
目前天岳先进（688234.SH）的量产碳化硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，该公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底。
2023-2026年，多家企业计划将产能从数万片提升至数十万片量级。中国碳化硅产业正迎来快速扩张与技术升级的双重驱动，天科合达、天岳先进、三安光电等通过大规模投资加速产能布局。
士兰明镓6英寸已达月产能9000片，2025年效率将进一步提升；士兰集宏8英寸预计于2025年四季度全面通线并试产，2024年底迷你产线已实现通线。
外延片的国际供应商大多是IDM环节的延伸，Wolfspeed以37%的份额位居第一，而受良率、成本等因素影响，该公司迟迟未能扭转亏损，5月21日，Wolfspeed报告称准备提交破产申请。
另一方面，中国产业升级与技术创新持续压缩行业成本空间。通过优化长晶工艺、引入激光切割等技术提升良率，叠加设备国产化率改善，碳化硅衬底成本有望持续下滑，推动器件价格加速向硅基IGBT靠拢。
中国碳化硅晶圆产能增长主要集中于2025年之后，且增速高于全球水平，将重塑行业竞争格局。据预测，2024-2030 年，碳化硅功率器件行业的市场规模将继续增长，复合年增长率为35%，2030年市场规模将达到约197亿美元。
全球碳化硅在整个功率半导体器件市场中的渗透率也显著提升，从2019年1.1%增长到2024年的 6.5%，并预计到2030年将增长至22.6%。
未来，新能源汽车30万以上纯电动车型不断推出、电压等级由400V向800V升级，叠加碳化硅整体成本持续下降，将推动碳化硅模组在中高端车型上的渗透率提升。
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