随着全球三大存储芯片厂商相继减产、退出NOR Flash、DDR3、DDR4市场，利基型存储市场竞争格局得到优化，非头部企业竞争压力明显缓解。国内兆易创新等存储厂商有机会抢占上述厂商减产、退出所空出的市场份额。
胡楠/文
随着消费、网通、计算等多个领域需求的回暖，以及国家一揽子刺激政策，存储芯片厂商兆易创新（603986.SH)业绩重新恢复增长。2024年，公司营业收入为73.56亿元，同比增长27.69%，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为10.30亿元，同比增长3660.79%。
2025年一季度，兆易创新业绩保持增长，其营业收入为19.09亿元，同比增长17.32%，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为2.45亿元，同比增长14.57%。
与此同时，在利基型DRAM市场，继美光科技、SK海力士、三星三大存储芯片厂商退出DDR3市场后。2024年，上述三大厂商再次宣布将退出DDR4市场，并将DDR4产能转向DDR5和HBM市场，以应对AI服务器和高性能计算的需求。
对此，民生证券认为海外存储芯片大厂持续推出利基型存储市场，以及可穿戴设备以及AIPC等终端对存储容量需求的增加，利基型存储市场将迎来一波增长与洗牌。
NOR Flash率先复苏
2024年，全球集成电路行业在经历两年调整后呈现复苏态势，根据研究与咨询公司Gartner发布的数据，2024年全球半导体行业收入达到6260.00亿美元，较2023年大幅增长18.10%，创历史新高，且预计2025年市场规模将进一步扩大至7050.00亿美元。
CFM闪存市场数据显示，2024年全球存储市场规模达1670.00亿美元，创出历史新高，其中，NAND Flash市场规模达696.00亿美元，DRAM市场规模达973.00亿美元。
作为存储市场的重要组成部分，利基型存储市场也迎来复苏。其中，NOR Flash市场表现亮眼，2024年，全球NOR Flash市场规模达到26.99亿美元，同比增长19.74%，预计2023年至2024年的年均复合增长率为9.17%。
NOR Flash下游市场的表现也对上述数据提供了佐证，据慧博投研数据，NOR Flash下游应用领域包括智能手机、可穿戴设备、车载电子、AIPC等。
受下游市场需求复苏与增加影响，NOR Flash头部厂商业绩也重回增长。
据民生证券研报，全球NOR Flash市场主要厂商包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新，2021年，三家厂商市场份额分别为34.80%、32.70%、23.20%。而到2024年，根据Web-Feet Research报告，在NOR Flash市场，兆易创新市场占有率已经超过旺宏电子，位居全球第二的位置。
上述三家公司财务数据的变动与其市场份额的变动相符，公开数据显示，2024年，兆易创新营业收入为73.56亿元，同比增长27.69%，扣除非经常性损益后归属于母公司股东的净利润为10.30亿元，同比增长3660.79%；华邦电子营业收入为816.10亿新台币，同比增长8.80%，净利润为7.09亿新台币，同比增长2088.24%。
同期，市场份额第三的旺宏电子营业收入为258.83亿新台币，同比增长-6.30%，净利润为-32.12亿新台币，亏损金额相比上年的-16.99亿新台币进一步扩大。
在NOR Flash市场，华邦电子、旺宏电子、兆易创新三家公司合计市场份额超过90.00%。在行业复苏的大背景下，华邦电子、兆易创新业绩恢复增长，而旺宏电子却出现营业收入、净利润双下滑的情况，这在一定程度上意味着市场份额正在向华邦电子与兆易创新集中。
利基DRAM格局优化
在利基存储市场，利基型DRAM是最大的细分市场。据WiseGuy Report估算，2024年全球利基型DRAM市场规模约为95.70亿美元。
据华源证券，DRAM根据内存技术及应用领域，主要分为DDR、LPDDR、GDDR和HBM系列。其中，利基型DRAM主要集中于DDR和LPDDR，主要产品包括DDR2及以下产品、4Gb以下的DDR3、8Gb以下的DDR4，以及LPDDR4及之前代际的产品。
利基型DRAM本质就是相对于主流存储产品占据较小市场份额的存储产品，其在制程上和容量上落后主流存储若干代际，适用于较小容量场景。
在DRAM市场，三星、SK海力士、美光科技起步较早，占据了DRAM市场绝大部分市场份额。据慧博投研数据，2023年，三星在全球DRAM市场份额为42.70%，位居市场第一的位置，美光科技、SK海力士市场份额分别为28.50%、24.30%，分别位居市场第二与第三的位置，三家公司合计市场份额高达95.50%。
随着存储产品的不断迭代，三星、美光科技、SK海力士顺理成章地成为全球主要利基型DRAM供应商。
据民生证券研报，由于DDR3技术、性能上逐渐落伍，基本已经不再PC、服务器上使用，但其功耗、价格低，在Wi-Fi路由器、交换机等嵌入式领域仍有应用。
不过，由于DDR3产品毛利率较低，在产能供应吃紧的情况下，三星、美光科技、SK海力士三大厂商将更多的资源倾斜到盈利能力更高的DDR5和HBM产品上，并逐步退出DDR3市场。据慧博投研数据，三星已向客户通知将于2024年二季度末停产DDR3产品；SK海力士则更早在2023年年底将位于中国无锡厂的DDR3制程调整为DDR4；美光科技暂未对DDR3产品实施停产，但也大幅缩减了供应量。
伴随着原厂的退出与控产，DDR3现货价格自2023年三季度起逐步触底，随后开启小幅涨价反弹。截至2024年5月中旬，DDR3涨幅约为10.00%。
2024年，三星、美光科技、SK海力士进一步缩减DDR4产品的比重。据IC Research数据，三星、SK海力士都发布了季度财报，两公司在电话会议上均强调接下来会将重点转移到高利润的高端产品上，同时可能会减少DRAM和NAND的产量，特别是传统类型的产品。
其中，SK海力士计划逐渐降低DDR4的生产比重，2024年三季度，其DDR4的生产比重已经从二季度40.00%降至30.00%，第四季度计划进一步降低至20.00%；三星已经推动DDR4的减产，并将部分产能转移到DDR5和LPDDR5等先进产品上。
随着三星、美光科技、SK海力士减产与退出DDR3、DDR4市场，利基型存储市场竞争格局明显改善，国内厂商有机会抢占上述厂商减产、退出所空出的市场份额。
目前，国内提供DDR3、DDR4的芯片厂商包括兆易创新、北京君正（300223.SZ)、东芯股份(688110.SH）等企业。据华源证券研报，2023年，兆易创新DDR3 4Gb、2Gb产品已经实现大规模量产，在2024年实现批量出货并贡献营收。2024年，公司DDR4 8Gb产品流片成功，并已向客户提供样片。
另外，兆易创新深度绑定国内DRAM晶圆厂龙头长鑫存储，公司创始人朱一明曾任职长鑫存储管理层。据Counterpoint预计，在2024年全球DRAM市场，长鑫存储占总产能的比重为13.00%，出货量和销售费分别占全球市场的6.00%与3.70%。预计到2025年，长鑫存储产能将增长到与美光科技相当的水平。
根据财报数据，2024年，兆易创新向长鑫存储及其子公司采购金额为10.18亿元。
北京君正利基型DRAM包括DDR、DDR2、LPDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4等多种类型，容量涵盖16M、32M、64M、128M到 1G、2G、4G、8G、16G等多种规格。
另外，针对市场对大容量DDR4、LPDDR的需求趋势，公司8GbDDR4、8Gb LPDDR4、16Gb LPDDR4已完成量产。并针对汽车、工业市场对DDR4、LPDDR4不断增长的需求，公司进行了基于21nm/20nm、18nm、16nm等工艺的DRAM新产品开发，将于2025年向客户提供工程样品。
东芯股份的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、PSRAM等产品已经实现量产，并持续进行新产品的研发。其中，公司设计研发的LPDDR4x产品已进入量产阶段，产品通过小尺寸封装、低电压设计和宽温适应性，覆盖了从消费电子到工业/汽车电子的多元化场景。
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